產(chǎn)品分類
PVT法長(zhǎng)晶爐——電阻爐
所屬分類：
SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備
概要：
本設(shè)備主要用于碳化硅（SiC）、氮化鋁（AIN）單晶生長(zhǎng)。
關(guān)鍵詞：
PVT法長(zhǎng)晶爐——電阻爐
PVT法長(zhǎng)晶爐——電阻爐
產(chǎn)品概述/Product Introduction：
本設(shè)備主要用于碳化硅（SiC）、氮化鋁（AIN）單晶生長(zhǎng)。
This equipment is mainly used for the single crystal growth of siliconcarbide(SiC) and aluminumnitride(AIN).
產(chǎn)品特點(diǎn)/Product Characteristics：
上一個(gè)
下一個(gè)
上一個(gè)
PVT法長(zhǎng)晶爐——感應(yīng)爐
下一個(gè)